简述nor flash和nand flash(flashnor和nand的区别)

1.NOR的读取速度更快，NAND的写入速度更快。

2.NOR闪存具有SRAM接口，接口具有足够的引脚来寻址和轻松访问中的每个字节。NAND设备使用复杂的I/O端口串行访问数据，每个产品或供应商的方法可能不同。

3.NAND闪存单元尺寸小于NOR。由于生产工艺更简单，NAND结构可以在给定的芯片尺寸下提供更高的容量，从而降低价格。NOR闪存占据了1-16MB闪存市场的大部分，NAND闪存仅用于8-128MB产品。这也说明NOR主要用于代码存储介质。

4.NAND闪存中每个块的最大擦除次数是100万次，NOR擦除次数是100，000次。除了10比1块擦除周期的优点之外，典型的NAND块大小比NOR器件的大小小8倍，并且每个NAND存储器块在给定时间具有更少的擦除量。

数据扩展:NAND Flash数据以位的形式存储在存储单元中。一个单元只能存储一位。这些单元以8或16为单位，连接到位线以形成所谓的字节(x8)/字(x16)，这是NAND器件的位宽。NAND闪存以页为单位写入数据，块为单位擦除数据。